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uGmni -200, 300

Kombiniertes Cluster Abscheide- und Ätzmodulsystem für hochentwickelte Elektronikfertigung uGmni-200, 300 Sputtering System, Load-lock

Eigenschaften

Die verschiedenen uGmni-Prozessmodule basieren auf der gleichen Plattform sowie den gleichen Bauteilen und werden mit demselben Bedienfeld gesteuert. Dadurch werden Ersatzteile reduziert und die Benutzerfreundlichkeit verbessert. Dadurch wird die Effizienz des Herstellungsprozesses für hochentwickelte Elektronik weiter verbessert.

BESONDERE MERKMALE / WEITERE ANWENDUNGEN

ANWENDUNGEN

  • Power Device-Seed & Metallschicht-Sputtering
  • MEMS-Sensor PZT Sputtern & Ätzen
  • Optical device- VCSEL Ätzen
  • Packaging-Descum Ashing
  • Communication device-Insulated film PE-CVD und Ätzen

 

SPEZIFIKATION

*Bitte kontaktieren Sie uns, wenn Sie anderes benötigen. Die unten angegebenen Zahlen hängen von der Spezifikation ab.

Ultimativer
Druck		 Stufe
temp.		 Innerhalb der Waffel unif.
（Referenz. nur）		 Anwendung Plasmaquelle
Sputter <6.7E-5Pa Kälte(Kühlung Fähigkeit T.B.D)～700℃ ±1～5% Metall, dielektrische Folie,
isolierte Folie		 DC
Impuls DC
RF
Ätzer <1.0E-3Pa -20～200℃ <±5% Metall, dielektrische Folie,
isolierte Folie, Si-Typen		 CCP
ISM
(Induktives Supermagnetron、ULVAC Patent)
NLD
(Neutral Loop Discharge、ULVAC Patent）
Asher <0,7Pa 50～250℃ ±5% Descum, Desmear, Entfernung Opfer-Schicht/sacrified layer, Oberflächenbehandlung, Entfernung von PR und PI Ätzung Mikrowelle
20～80℃ Mikrowelle+CCP
PE-CVD <2Pa 60～400℃ <±1% Isolierte Folie（SiNx,SiOx) Anodenkopplung
Duale Frequenz

 

SYSTEMKONFIGURATIONEN

Es können verschiedene Module zum Einsatz kommen

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