- Komponenten
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- Trockene Pumpen
- Trockene Schraubenvakuumpumpe LS Serie 120A
- Trockene Schraubenvakuumpumpe LS Serie LS300A
- Trockene Schraubenvakuumpumpe LS Serie LS 600A
- Trockene Schraubenvakuumpumpe LS Serie LS 1200A
- Trockene Vakuumpumpe MS Serie
- Trockene Scroll-Vakuumpumpen der DIS-Serie
- Trockene Scroll-Vakuumpumpen der DISL-Serie
- Trockene Membran-Vakuumpumpe Serie DTC
- Membran-Trockenvakuumpumpe DAU-20/DTU-20
- Membranpumpe für trockenes Vakuum Serie DA
- Trockene Vakuumpumpe mit Membranantrieb Serie DAP
- Trockene Vakuumpumpe LR/HR/UR Serie
- Trockene Vakuumpumpe CR Serie Version B
- Trockene Vakuumpumpe GR Serie
- Trockene Vakuumpumpen mit Wippkolben, Serie DOP
- Ölkreiselpumpen
- Ölgedichtete Rotationsvakuumpumpe GHD-031
- Öl-Drehschiebervakuumpumpe mit Magnetkupplung Serie Gv135
- Öl-Drehvakuumpumpe Magnetkupplung Serie Gv200
- Ölgedichtete Rotationsvakuumpumpe Serie GLD
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- Mechanische Druckerhöhungspumpen
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- Vakuum-Messgeräte
- Mehrfach-Ionisationsmessgerät G-TRAN Serie ST200-A / R / E
- Mehrfach-Ionisationsmessgerät G-TRAN Serie SH200-A / R / E
- Pirani Vakuum-Messwertaufnehmer Typ SW100 SW100-A / R
- G-TRAN Serie Pirani Gauge Sensor SP1
- Smartphone-Direkt Pirani Messgerät SWU10-U
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- G-TRAN Serie Druckschaltereinheit (SAU)
- Kaltkathodenmessgerät Sensoreinheit G-Tran Serie SC1
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- Prozessgas-Monitor
- Basis Prozessgasüberwachung – Qulee BGM2-Serie
- Kompakter Prozessgasmonitor – Qulee CGM2 Serie
- Hochleistungs-Prozessgasmonitor – Qulee HGM2-202/302 Serie
- Reaktives Prozessgas-Überwachungssystem – Qulee RGM2 Serie
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- Hochleistungs-Prozessgasmonitor – Qulee mit YTP-H für Atmosphärendruck
- Hochleistungs-Prozessgasmonitor – Qulee mit YTP-H Serie für Vakuum
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- Prozessanlagen
- Nach Technologie
- Nach Anwendung
Cluster-Typ PE-CVD System CME-Serie
Die CME-200E/400 ist das am besten geeignete Modell der PE-CVD-Produktionsreihe für die Abscheidung von Si-Schichten, die als Isolator- oder Barriereschichten verwendet werden.
- Hochdichter Plasmaprozess mit Hochfrequenz-Stromversorgung (27,12 MHz)
- Hochwertiger Film unter Verwendung des SiH4-Vorläufers: SiO2, SiNx, SiON, a-Si, auch für TEOS-Verfahren für SiO2-Schichten
- Kammerreinigung mit NF3+Ar-Plasma
- Substratgröße bis zu 200 x 200 mm für CME-200E, max. 300 x 400 mm für CME-400
BESONDERE MERKMALE / WEITERE ANWENDUNGEN
- Unterstützt den Heizer für die Niedertemperaturabscheidung von organischen EL.
Weitere Anwendungen
- Stromgerät
- LED, LD, Hochgeschwindigkeitsgerät
- Solarzelle
- MEMS
