uGmni -200, 300
Kombiniertes Abscheide- und Ätzmodulsystem vom Cluster-Typ für hochentwickelte Elektronik uGmni-200, 300 Sputtering System, Load-lock type
Die verschiedenen uGmni-Prozessmodule basieren auf der gleichen Plattform sowie den gleichen Bauteilen und werden mit demselben Bedienfeld gesteuert. Dadurch werden Ersatzteile reduziert und die Benutzerfreundlichkeit verbessert. Dadurch wird die Effizienz des Herstellungsprozesses für hochentwickelte Elektronik weiter verbessert. Dadurch wird die Effizienz des Herstellungsprozesses für hochentwickelte Elektronik weiter verbessert.
BESONDERE MERKMALE / WEITERE ANWENDUNGEN
ANWENDUNGEN
- Power Device Seed & Metallschicht-Sputtering
- MEMS-Sensor PZT Sputtern & Ätzen
- Optical device-VCSEL Ätzen
- Advanced Packaging- Descum Ashing
- Communication device-insulated film PE-CVD und Ätzen
SPEZIFIKATION
*Bitte kontaktieren Sie uns, wenn Sie anderes benötigen. Die unten angegebenen Zahlen hängen von der Spezifikation ab.
| Ultimativ Druck |
Bühne temp. |
Innerhalb der Waffel unif. （Referenz. nur） |
Verwenden Sie | Plasmaquelle | |
| Sputter | <6.7E-5Pa | Kälte(Kühlung Fähigkeit T.B.D)～700℃ | ±1～5% | Metall, dielektrische Folie, Isolierfolie |
DC |
| Impuls DC | |||||
| RF | |||||
| Radierer | <1.0E-3Pa | -20～200℃ | <±5% | Metall, dielektrische Folie, Isolierfolie, Si-Typen |
CCP |
| ISM (Induktives Supermagnetron、ULVAC Patent) |
|||||
| NLD (Neutralschleifen-Entladung、ULVAC Patent） |
|||||
| Asher | <0,7Pa | 50～250℃ | ±5% | Descum, Desmear, Entfernung der geopferten Schicht, Oberflächenbehandlung, Entfernung von PR und PI Ätzung | Mikrowelle |
| 20～80℃ | Mikrowelle+CCP | ||||
| PE-CVD | <2Pa | 60～400℃ | <±1% | Isolierte Folie（SiNx,SiOx) | Anodenkopplung |
| Duale Frequenz |
SYSTEMKONFIGURATIONEN
Es können verschiedene Module zum Einsatz kommen
