Plasma-Ätzsystem mit hoher Dichte NE-550
NE550H ist ein Mehrzweck-Plasmaätzsystem mit hoher Dichte, speziell für F&E-Testeinrichtungen wie Universitäten und Regierungsbehörden.

- Ausgestattet mit einer Niederdruck-, Niederelektronen-Temperatur- und Hochdichte-Plasmaquelle.
- Unterstützt ein breites Spektrum an Prozesskontrolle vom Ionenätzen bis zum Radikalätzen.
- Plasmadichte und Gleichmäßigkeit können durch die Optimierung des Magnetfeldes gesteuert werden.
- Die einfache Konfiguration macht die Wartung leicht.
- Niedriger Druck, hohe Plasmadichte, gute Gleichmäßigkeit – ISM (Inductively Super Magnetron) Plasmaquelle* ULVAC Patent
- Gute Wiederholbarkeit und Stabilität – STAR Elektrode* ULVAC Patent
- Präzise und stabile EPD – Optische Emissions-EPD (optional), Laser-Interferenz-EPD (optional)
- Präzise Steuerung der Wafertemperatur – ESC mit He-Kühlung, mechanischer Chuck
- Einfache Wartung – Einfacher Wartungsmechanismus
BESONDERE MERKMALE / WEITERE ANWENDUNGEN
Filme – Elektronische Bauelemente (HEMT, HBT, MMIC, etc..)
- III-V-Materialien: Selektives Ätzen – GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaP, InP
- Isolationsschichten: Hochgeschwindigkeits- oder beschädigungsfreies Ätzen – SiO2, SiN, Low-K Materialien, GaAs VIA, InP VIA, SiC VIA
- Organische Stoffe: Polyimid, BCB
- Metalle und Keramiken: W, WSi, TiW, Mo, PZT, STO, BST, SBT, Ir, IrO2, Au, Pt, Ti, TiN, Ta Optische Geräte (Laserdioden, LED, etc..)
- Nicht-selektives Ätzen – GaAs, AlGaAs, AlGaInP, InAlAs, InP, GaN, AlGaN, InGaN, AlN
- ITO, Saphir Andere Geräte (MEMS, Stamper für DVD, etc…)
- Si, SiC, Glas, Quarz, Saphir, C, diamantartiger Kohlenstoff, Al, Cr, Mo
Weitere Anwendungen
- Ultrahochfrequenzgeräte, optische Geräte (LEDs, LDs).
- Nichtflüchtiger Speicher der nächsten Generation.
- Bio-Chips und Mikrofluid-Geräte.
- Photonische Kristalle.
- Sensoren, MEMS (mikro-elektromechanische Systeme).


