Ein Batch-System zur Entfernung von Native Oxide RISE-300
Chemische Trockenreinigungsanlage für die Entfernung von nativen Oxiden in schmalen und tiefen Kontaktmustern von modernen Halbleitern.

- Beschädigungsfrei (Fernplasma und Niedertemperaturverfahren)
- Hoher Durchsatz und niedrige CoO
- Verarbeitung in Chargen von fünfzig Wafern
- Hervorragende Gleichmäßigkeit der Ätzung (5% oder weniger pro Charge)
- Einfache Wartung (kein seitlicher Wartungszugang erforderlich)
- Geringe Stellfläche im Vergleich zu Cluster-Geräten
- 50% geringerer selbstausrichtender Kontaktwiderstand im Vergleich zum derzeitigen Nassverfahren
- Der kleinste Fußabdruck
BESONDERE MERKMALE / WEITERE ANWENDUNGEN
- Vorreinigung für die Bildung von selbstausrichtenden Kontakten (SAC)
- Vorreinigung für die Kondensatorbildung
- Vorreinigung für epitaktisches Wachstum
- Vorreinigung für Co- oder Ni-Salizid


